- 1.1.1]--绪论:1、微电子工艺是讲什么的?
- [1.2.1]--2、微电子工艺的发展历程如何?
- [1.3.1]--3、微电子工艺有什么特点?
- [1.4.1]--4、单晶硅特性(上)
- [1.4.2]--4、单晶硅特性(中)
- [1.4.3]--4、单晶硅特性(下)
- [2.1.1]--1.1多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法
- [2.2.1]--1.2单晶生长-原理
- [2.3.1]--1.2单晶生长-掺杂
- [2.4.1]--1.2单晶生长-MCZ与FZ法
- [2.5.1]--硅片的加工
- [2.5.2]--硅片介绍
- [3.1.1]--2.1外延概述
- [3.2.1]--2.2气相外延-1硅工艺
- [3.2.2]--2.2气相外延-2原理
- [3.2.3]--2.2气相外延-3速率
- [3.2.4]--2.2气相外延-4掺杂
- [3.2.5]--2.2气相外延-5设备与技术
- [3.3.1]--2.3分子束外延
- [3.4.1]--2.4其它外延方法
- [3.5.1]--2.5外延层缺陷及检测
- [3.5.2]--电阻率测量
- [4.1.1]--3.1概述-1性质与用途
- [4.1.2]--3.1概述-2杂质与掩蔽
- [4.2.1]--3.2硅热氧化-1工艺
- [4.2.2]--3.2硅的热氧化-2机理
- [4.2.3]--3.2硅的热氧化-3DG模型
- [4.2.4]--3.2硅的热氧化-4速率
- [4.2.5]--3.2硅热氧化-5影响因素
- [4.3.1]--3.3初始氧化
- [4.4.1]--3.4杂质再分布-1分凝
- [4.4.2]--3.4杂质再分布-2硅表面浓度
- [4.5.1]--3.5氧化层检测-1厚度
- [4.5.2]--3.5氧化层检测-2成膜质量
- [4.5.3]--氧化层厚度估测实验
- [4.6.1]--3.6其它氧化方法
- [5.1.1]--4.1扩散机构
- [5.2.1]--4.2扩散方程-1菲克定律
- [5.2.2]--4.2扩散方程-2扩散系数
- [5.3.1]--4.3扩散掺杂-1恒定源
- [5.3.2]--4.3扩散掺杂-2限定源
- [5.4.1]--4.4影响杂质分布因素-1点缺陷
- [5.4.2]--4.4影响杂质分布因素-2氧化增强
- [5.4.3]--4.4影响杂质分布因素-3发射区推进
- [5.5.1]--4.5扩散条件与方法-1方法选择
- [5.5.2]--4.5扩散条件与方法-2扩散工艺
- [5.6.1]--4.6质检与测量-1结深
- [5.6.2]--4.6质检与测量-2表面浓度
- [5.6.3]--pn结结深测量实验
- [5.7.1]--4.7扩散工艺的发展
- [6.1.1]--5.1离子注入概述
- [6.2.1]--5.2离子注入原理-1
- [6.2.2]--5.2离子注入原理-2
- [6.2.3]--5.2离子注入原理-3
- [6.3.1]--5.3注入离子分布-1,2分布
- [6.3.2]--5.3注入离子分布-3沟道效应
- [6.3.3]--5.3注入离子分布-4其它影响
- [6.4.1]--5.4注入损伤-1
- [6.4.2]--5.4注入损伤-2
- [6.5.1]--5.5退火-1热退火
- [6.5.2]--5.5退火-2快速退火
- [6.6.1]--5.6设备与工艺
- [6.7.1]--5.7应用
- [6.8.1]--5.8掺杂新技术
- 7.1.1]--6.1CVD概述
- [7.2.1]--6.2CVD原理-1过程
- [7.2.2]--6.2CVD原理-2速率
- [7.2.3]--6.2CVD原理-3质量
- [7.3.1]--6.3CVD工艺方法-1AP-2LP
- [7.3.2]--6.3CVD工艺方法-3等离子体(上)
- [7.3.3]--6.3CVD工艺方法-3等离子体(下)
- [7.3.4]--6.3CVD工艺方法-4PE-5HDP(新)
- [7.4.1]--6.4二氧化硅薄膜-1性质
- [7.4.2]--6.4二氧化硅薄膜-2制备
- [7.5.1]--6.5氮化硅薄膜
- [7.6.1]--6.6多晶硅薄膜
- [7.7.1]--6.7CVD金属及金属化合物薄膜
- [8.1.1]--10-21-7.1PVD-1概述
- [8.2.1]--7.2PVD-1真空简介
- [8.2.2]--7.2PVD-2真空的获得
- [8.3.1]--7.3蒸镀-1原理
- [8.3.2]--7.3蒸镀-2设备、工艺
- [8.3.3]--10-21-7.3蒸镀-3质量
- [8.4.1]--7.4溅射-1原理
- [8.4.2]--7.4溅射-2方法
- [8.4.3]--10-21-7.4溅射-3质量
- [8.5.1]--7.5PVD金属及化合物薄膜
- [9.1.1]--光刻02--光刻技术xiugaizhonggao
- [9.2.1]--8.3.1--光刻掩膜板制造技术
- [9.3.1]--光刻8.3.2--光刻胶
- [9.4.1]--光刻8.3.3--紫外曝光技术
- [9.5.1]--光刻8.3.4--光刻增强技术
- [9.6.1]--8.3--5其它曝光技术
- [9.6.2]--8.3--5其它曝光技术(2)
- [9.7.1]--8.3--6光刻新技术展望
- [9.8.1]--光刻引言
- [9.8.2]--8.1.1光刻工艺
- [9.8.3]--8.1.2光刻分辨率
- [9.8.4]--8.1.3光刻分辨率--2
- [10.1.1]--9.1刻蚀技术--概述
- [10.2.1]--9.2湿法刻蚀技术
- [10.3.1]--9.3刻蚀技术--干法刻蚀技术
- [10.4.1]--9.3--1刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术
- [10.5.1]--9.3--2刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
- [11.1.1]--10.1工艺集成--金属化与多层互连
- [11.2.1]--10.1--2工艺集成--金属化之尖楔现象
- [11.3.1]--10.2工艺集成--集成电路中的隔离技术
- [11.4.1]--10.3CMOS集成电路的工艺集成
- [11.5.1]--10.4双极型集成电路的工艺集成
- [11.6.1]--结束语我的中国芯
本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。
微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段(上游是电路设计,下游是封装测试)。一个芯片的制造能否达到设计要求,与制造工艺有很大的关系,因此有必要对工艺线的流程为大家说明讲清楚。我们手中使用的mobilephone,camera,ipad 内部电路板上焊接的形状各异外形诡异的小芯片都是如何造出来?想必大家都是有兴趣知道的。即使没有电子工程的基础,通过我的讲解也是可以,你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。
IC(integrate circuit)的制造分为前工序和后工序。
前工序:IC制造工程中,晶圆光刻的工艺(即所调流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术。